Емкости p-n перехода.

Потенциальный барьер перехода образован неподвижными зарядами, т е положительными и отрицательными ионами, которые составляют емкость, называемой барьерной и обозначается Сб при изменении Uобр меняется толщина p-n перехода, а, следовательно, и Сб. Вообще Сб определятся:

1) Площадью p-n перехода;

2) Концентрацией носителей заряда;

3) Диэлектрической проницаемостью материала п/п.

Чем меньше Uобр, тем меньше толщина перехода, ближе ионы и выше Сб. т. е. p-n переход можно использовать, как емкость, управляемую Uобр:

Где qб – объемный заряд равновесных носителей (Рис. 15).

При Uпр p-n переход кроме Сб обладает диффузионной емкостью Сдиф, которое обусловлено накоплением подвижных носителей заряда в n и р областях, т е Емкости p-n перехода. при Uпр основные носители в большом количестве диффундируют через пониженный потенциальный барьер и, не успев рекомбинировать, накапливаются в n и p областях. Каждому значению Uпр соответствует определенно накопленный неравновесный заряд qдиф, тогда

Однако, как Сдиф, так и Сб не оказывают существенного влияния на работу p-n перехода, т к они всегда зашунтированы малым прямым сопротивлением перехода. (Рис 15).

Модель p-n перехода.

Анализ ВАХ p-n перехода позволяет рассматривать его, как нелинейный элемент, сопротивление которого Rп изменяется в зависимости от величины и полярности приложенного U. Модель реального перехода приведена на Рис. 16.

Здесь Rп - управляемое сопротивление перехода;

R - неуправляемые сопротивления контактов Емкости p-n перехода.;

Сб и Сдиф – барьерные и диффузионные емкости.

Наличие у реальных p-n переходов сопротивлений и контактов R сказывается на виде ВАХ в области Uпр, а именно характеристика располагается ниже, по сравнению с идеализированным p-n переходом (область 5 на рис 14).

II. П/п диоды.

Общие сведения.

П/п называется электропреобразовательный прибор, который, как правило, содержит 1 или несколько p-n переходов и 2 выхода для подключения внешней цепи.

Устройство

Диод представляет собой кристалл п/п в котором одним из технологических методов выполнен p-n переход. (Рис. 17).

Одна из областей p-n структуры, называемая эмиттером, имеет большую концентрацию неосновных носителей, чем другая область, называемая базой. База Емкости p-n перехода. и эмиттер с помощью электрода Э соединяются с металлическими выводами В.


documentbcdbotl.html
documentbcdbwdt.html
documentbcdcdob.html
documentbcdckyj.html
documentbcdcsir.html
Документ Емкости p-n перехода.